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传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

Wccftech 发文指掌握到独家消息,Micron 将于 2019 年上半年推出 OLC NAND Flash。

源自 Wccftech 之独家消息

老实说,如果你 Google「OLC NAND Flash」,基本上除了各国媒体报导此则新闻外,都应找不到任何有关 OLC NAND 的结果,因为 OLC NAND 都只源自外媒 Wccftech 的一篇文章,根本都未能确定此产物是否存在。而 Wccftech 于该文章称他们掌握了独家消息,指 Micron 将于今季或下季推出 OLC NAND Flash。儘管 Wccftech 于文始补充已收到 Micron 的官方回应,说他们捏造假消息,但他们都依然坚决表明该文章铁证如山,还称已获得 3 家 Micron 的合作伙伴证实 Micron 即将发表 OLC NAND 。谁孰谁非,信不信由你。但且看 Wccftech 的文章如何介绍 OLC NAND,吃着花生看戏吧。

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

Wccftech 表示收到 Micron 的回应,指他们 OLC NAND 的消息全是伪造,不过他们坚决所有消息皆为真确。

每单元储存 1 Byte

虽然笔者自愧不如 Wccftech 般专业,也不便评论其他媒体,但也感觉 Wccftech 在该文章对 OLC NAND 的技术着墨甚少,不少篇幅都是重覆介绍 SLC、MLC、TLC 及 QLC 的规格演变,以及回顾 QLC 推出时所带来的供求影响,推断 OLC NAND 面世时可能供不应求,但慢慢市场会消化,变成供求平衡等等显而易见的常理。至于有关 OLC NAND 的具体规格及技术,就只有一段说明 OLC 会于每一单元(Cell)储存 8 Bit 的资料,为世上首项每单元储存到 1 Byte 资料的技术,储存容量比 QLC 的 4 Bit 翻倍,增幅比摩尔定律还要大。并且说明 OLC 长远会降低 SSD 售价,令 SSD 市场竞争更激烈,亦重申有多个消息来源告知他 Micron 会推出 OLC。

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

由 SLC 发展至 QLC,存储容量愈多,价格愈低, Wccftech 的文章主要是把此图道理套用至 OLC 解说。

OLC 根本不可能存在?

够不够言之有据,还看大家的判断。不过有网民于 Wccftech 的文末留言,一语道破 Wccftech 全是伪造消息。在分析该留言之前,先简介一下 NAND Flash 的运作原理。每当 SSD 要写入或删除资料时,就会有些电子(Electron)穿过 Oxide 氧化层「闸口」,从 Source 及 Drain 之间流进 / 流出,并流入浮栏( Floating Gate ),所以每写入一次,都会对 Oxide 层构成损耗,令 SSD 变得愈不耐用。而储存在 NAND Flash 单元的数据,都会取决于电子的流向、位置及数量,例如 SLC 只有 1 Bit,就只需按电子的数量约莫判断是 0 或 1。到 2 Bit 的 MLC 就会有 2^2 = 4 种电压状态,包括 00、01、10 及 11,需要更準确的判断;QLC 则增加至 2^4 = 16 种电压状态,由 0000 到 1111,对于量度电子数量的準绳度更为严谨,所以说 QLC 的错误率理论上较 SLC 高。

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

The Register UK 发表过文章解说 NAND Flash Cell 运作原理, Floating Gate 下方的黄色为 Oxide 层,笔者另外画上数点绿色以示电子的流动。

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

QLC 就要準确辨别 0000 至 1111 等 16 种状态。Source:The Register UK

刚才也说到,写入资料会日渐损耗 Oxide 层,当损害到某程度时,可引致电子渗漏,流入错误的位置。对 SLC 而言,有少许电子放错位置都无相大雅、还可继续运作,因为只需判断 0 或 1。但 QLC 就要求精密,即使少量的电子放错位置,都可能由 1110 变成 1111,壤成大错,所以不及 SLC 般耐用。而 Octa Level Cell( OLC )就更加不在话下,电压状态分为 2^8 = 256 种那幺多,会否已超越极限,根本就不可能呢?

OLC 为 Read Only 的 SSD?

回到评击 Wccftech 的留言,该网友表示 OLC 需要有 256 种电压状态,即至少要有 256 个电子,但每个单元根本就没有 256 个电子那幺多,所以「毋需 Micron 解释,都知道 OLC 没可能存在」,因为已违反物理定律,除非 OLC 採用非常低密度的製程,或用一些极度特别的量子记忆体,但这两样都不会发生。笔者不谙物理,未能判断上述理据的真伪,而且科技发展一日千里,相信 R&D 能解决问题、克服技术限制,或许 OLC 也会面世。不过问题在于时间点,毕竟 16 种电压的 QLC 也只是面世不久,若要在 2019 年上半年推出精确辨别 256 种电压状态的 OLC,就感觉不太可能,亦会严重影响 QLC 的销售。至于 OLC 的定位方面,本身 QLC 的写入次数及耐用度已经够低,问题到 OLC 更会加剧,会否如 Wccftech 网民笑称「 OLC 沦为只有读取的用途,写完十数次资料就能作为 Cold Data 冷资料储存」?这样的话,会否用传统 Hard Disk 更好呢?又能否称得上「可用到」的 SSD 呢?

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

网民 Leo 于 Wccftech 文末留言,表示 OLC 根本不符合物理定律。

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

另一网友 Nikolaos Skordilis 留言,分析 OLC 可能只用于储存冷资料。

传闻指 Micron 即将推出 OLC NAND 会否沦为只

Micron 曾发文解说 QLC 适合一些读取为主的应用,未必承受到太多次写入。套用至 OLC,情况会更严重吧。

Source:Wccftech、The Register UK、Micron

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